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物質(zhì)按導(dǎo)電能力可分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。常見的半導(dǎo)體材料有硅(SI)、鍺(GE)、砷化鎵(GaAs)。硅和鍺都是四價(jià)元素，其原子外層有四個(gè)價(jià)電子，但這些電子受原子核吸引力很強(qiáng)，不能自由移動(dòng)。
當(dāng)受光照或者溫度升高時(shí)，少數(shù)價(jià)電子獲得足夠能量，能夠掙脫原子核的束縛自由移動(dòng)，成為自由電子，在其原來的地方形成空位，稱為空穴。由于電中性，自由電子和空穴成對出現(xiàn)。
以上狀態(tài)我們稱之為激發(fā)，這里我們認(rèn)為自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電；自由電子在移動(dòng)的同時(shí)，也可能和空穴相遇，重新被束縛起來，我們稱之為復(fù)合。一定溫度下，激發(fā)和復(fù)合并存，且速率一定，處于平衡狀態(tài)。
當(dāng)溫度或者光照等外界能量給予不足時(shí)，激發(fā)數(shù)量不多，電子空穴對濃度低，在電場作用下，仍然不導(dǎo)電。但溫度或者光照強(qiáng)度加大時(shí)，電子空穴對濃度大為增加，導(dǎo)電能力也就大大增加。
利用此特性可以制成熱敏與光敏器件，比如熱敏/光敏電阻。